一周行业简报

		2003.7.10-7.17
		第１期

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　·蓝牙I C市场到2007年复合增长率将达74%
　·国家强制性产品认证执法8月1日正式启动
　·今年全球DSL 芯片销售总额跌幅高达20％
　·蓝牙芯片出货大增未来亚太市场前景光明
　·诺基亚/ARM联手半导体巨头组建MIPI联盟
　·国内建设砷化镓IC生产线仍需要等待时机
　·终结无芯时代国产CPU正努力实现产业化
　·"祥龙I号"高能CPU问世"中国芯"再添新军
　·亚洲科技产业需求有所增强但未明显好转
　·中芯国际加入ARM代工项目并获内核授权

　·国外微光电子机械系统技术研究现状
　·InP/InGaAs--单行载流子光电二极管
　·图像信号处理芯片AK8408的原理应用
　·多功能AAT3680锂电池线性充电控制器
　·摩托罗拉的i.Smart智能手机参考设计
　·掌握集成电路封装特征达最佳EMI抑制
　·CMOS工艺在数模混合电路中应用展望
　·嵌入式内存测试方案及高速测试技术
　·纳米级—IC设计办法
　·闪速存储器Flash Memory研究与进展

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　·中华人民共和国SJ电子行业标准一、二、三、四
　·石英晶体振荡器的检测经验
　·半导体分立器件的型号命名方法
　·判断常用集成电路的质量及好坏
　·开关的选用经验介绍

·国外微光电子机械系统技术研究现状
　摘要：微光电子机械系统（MOEMS）技术对现代动态波分复用（WDM）网出现的许多问题，能够提供低成本的解决办法，可以制成数字光调制器、电控可变衰减器、WDM均衡器和可编程波长上路/下路系统，用于动态WDM输送网。在最近几年内，MOEMS技术发展很快，可望成为几十亿美元的产业。
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·InP/InGaAs--单行载流子光电二极管
　摘要：为适应大容量光纤通信和超高速光电子测试系统，光电二极管一直致力于提高带宽。结构设计和工艺技术的改进已经使光探测器取得了极大进步。但随着光放大器及微波/毫米波光子系统的进步，高饱和输出（大信号工作）已成为光电二极管应具备的重要性能。另外，微波光子系统通常需要光生微波/毫米波信号，光电二极管要用作微波/毫米波发生器，基本要求就是宽线性和高饱和输出。大功率的光探测器还适于同众多电子器件及光子器件集成实现新的信号处理功能，从而可拓宽光探测器的应用领域。
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·图像信号处理芯片AK8408的原理应用
　摘要：AK8408是日本旭化成（株）研制的新一代专用于处理CCD、CIS等彩色/黑白图像传感器输出信号的专用芯片。它将图像传感器输出的模拟信号转换成数字信号输出给用户。同时，根据用户自己的设置，可以将图像传感器的明输出偏差值与暗输出偏差值进行先期处理。
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·多功能AAT3680锂电池线性充电控制器
　摘要：VBAT ,采用低电流充电模式；当VBAT>VMIN，进行电流状态测试，VMAX>VBAT，采用恒流充电模式。
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·摩托罗拉的i.Smart智能手机参考设计
　摘要：摩托罗拉公司针对这一市场需求推出i.Smart智能电话参考设计。该参考设计提供了基于摩托罗拉 i.250 Innovative Convergence (2.5G GSM/GPRS) 平台和 i.MX1 应用处理器的全面参考解决方案。i.Smart参考设计可在具有开放标准接口的单一平台上提供先进的话音、图像、视频和数据功能。
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·掌握集成电路封装特征达最佳EMI抑制
　摘要：将去耦电容直接放在IC封装内可以有效控制EMI并提高信号的完整性，本文从IC内部封装入手，分析EMI的来源、IC封装在EMI控制中的作用，进而提出11个有效控制EMI的设计规则，包括封装选择、引脚结构考虑、输出驱动器以及去耦电容的设计方法等，有助于设计工程师在新的设计中选择最合适的集成电路芯片，以达到最佳EMI抑制的性能。
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·CMOS工艺在数模混合电路中应用展望
　摘要：从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析了利用标准CMOS工艺来设计开发高速模拟器件和混合处理芯片的现状及发展潜力。
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·嵌入式内存测试方案及高速测试技术
　摘要：目前，在许多应用领域，例如处理器、移动电话、调制解调器等产品，SOC技术已经成为主要的研究方向。这类SOC芯片整合了数字逻辑电路、模拟电路、内存模块以及知识产权(1P)核，甚至将微处理器、外围接口、通信模块皆能包括于一芯片中。SOC芯片的应用，对于提升系统性能、减少系统能耗、降低系统的电磁干扰、提高系统的集成度都有很大的帮助，顺应了产品轻薄短小的趋势。
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·纳米级—IC设计办法
　摘要：进入21世纪以来，随着IC制造技术的进步，0.18mm制造工艺已经进入工业化生产阶段，0.13mm工艺也逐步开始普及。90纳米(nm)的制造工艺正在研究和实施阶段。可以预言，在未来的两三年中，90nm工艺必将逐步进入主流工艺生产线的前列。对于一些关键问题的解决，必须依赖于新一代的设计工具和方法，下面介绍纳米级设计的一些新思路。
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·闪速存储器Flash Memory研究与进展
　摘要：80年代中期以来，EPROM的容量每两年翻一番。通用E2PROM与EPROM相比，具有价格低、擦除简单等优点，但由于每个存储单元有两只晶体管，开发大容量E2PROM是非常困难的。用2um工艺制作的两管E2PROM的最大容量为64kb。Masupka等人利用只有1只晶体管的E2PROM单元和新的擦除/编程电路技术及高速灵敏度放大器，于1987年报道了第一块256kb闪速E2PROM(即闪速存储器)。之所以称为闪速，是因为它能同时、快速地擦除所有单元。表1比较了第一块闪速存储器与EPROM、一次编程PROM、E2PROM的性能。
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